Главная Карта сайта Обратная связь
ТКМ - компьютеры и комплектующие
Курс $ на 24:04:2008 - 25 руб.
Главная | Новости | IBM изобрела новый тип памяти
Компьютеры
Системные блоки
Процессоры
Материнские платы
Корпуса
Память
Винчестеры
Колонки
Видео карты
Принтеры
Расходные материалы *
Источники БП
Ноутбуки
Разное
Модемы
Тюнеры
Оптические приводы
МФУ
Мониторы TFT
GPS
Apple
металлодетекторы
версия для печати
Ваша корзина /  пуста
20.08.2007
IBM изобрела новый тип памяти
IBM взялась за сотрудничество с японской компанией TDK для разработки энергонезависимой памяти, основанной на передаче вращающегося магнитного поля (STT-RAM).

Принцип действия STT-RAM такой: электрический ток подается на магнит, в результате чего изменяется направление магнитного поля (сверху-вниз или слева-направо). Данное изменение вызывает разницу в сопротивлении, и различные уровни сопротивления регистрируются как "0" или "1".

В текущих планах IBM и TDK разработать действующий 65-нанометровый прототип уже через четыре года но, как отметил главный менеджер исследований энергонезависимой памяти в IBM Билл Галлагер (Bill Gallagher), для этого придется разработать новый тип записи.

На сегодняшний день остались только две принципиально новые разработки: это STT-RAM, над которой сейчас работает IBM и TDK, и фазопеременная (PCM, PRAM, PCRAM) память, разработки которой начаты еще в 1970 году.

Принцип действия фазопеременной памяти – в различии между состоянием запоминающего вещества. Она будет состоять из множества ячеек с особым материалом. Когда ячейка нагревается до нескольких сотен градусов по Цельсию, состояние вещества в ней меняется с кристаллического на аморфное (и наоборот). Это и будет восприниматься считывающим устройством как "0" и "1".

"STT-RAM и фазопеременная (PCM, PRAM, PCRAM) память – вероятно два лидирующих кандидата на рынок в будущем", - отметил Билл Галлагер. При этом STT-RAM является более быстрым типом памяти, а фазопеременная будет более емкой.

Пока неизвестно, каких скоростей можно будет ожидать от STT-RAM. Это будет зависеть от хода исследований. Однако уже сейчас известно, что фазопеременная (PRAM) память будет в тысячи раз быстрее, чем обычные жесткие диски, и несколько быстрее, чем Flash-память. Особенно это касается скорости записи, ведь если запись в ячейку флэшки требует сначала убрать текущий заряд, то в фазопеременной памяти процесс будет происходить сразу. А если учесть, что STT-RAM будет еще быстрее, то ожидаемые скорости просто радуют.



все новости

© Developed by 2006
© Компания ТКМ 2008
О компании - Новости - Интернет-магазин - Прайс-лист
Кредит - Статьи и обзоры - Каталог - Контакты
Полезные ресурсы